课题背景：基于II-VI族CdSe或III-V族InP的胶体半导体量子点（QD）因具有发光色纯度高，发光色彩可调，发光效率高，材料稳定性好，可溶液加工等优点，在低成本、大面积、广色域、柔性、印刷显示及固态照明等领域具有广阔的应用前景。

研究目的与意义：本项目针对量子点发光二极管（QLED）产业亟需解决的低成本、高光效、高色纯度需求，围绕量子点相关研究领域的无镉/低镉制备、QD INK的配方、载流子注入等基本科学问题，开展量子点材料制备、器件性能调控及加工工艺的系统研究，以实现高效率、长寿命的全溶液加工/全印刷QLED，推动QLED在低成本、全印刷显示中的应用。

主要发现：本项目从器件物理、器件结构及器件制备工艺等方面展开工作，并做出一系列原创性和系统性的研究，在“新型高效长寿命量子点发光二极管结构”及“QLED全印刷制备工艺”取得突破进展：采用叠层器件结构，有效的提高器件的效率和寿命，研发的红、绿、蓝QLED器件外量子效率均超过20%，达到国际一流水平；开发新的印刷工艺，采用基于低熔点合金作为印刷顶电极，实现QLED的全印刷制备工艺。项目所取得的系列创新成果发表于Nature Communications, ACS Nano, Advanced Science, Applied Physics Letters等顶级期刊（共22篇，其中SCI收录18篇，EI收录4篇），申请发明专利1项。本项目的实施为印刷QLED产业化形成关键核心技术储备，并培养了该领域4名优秀专业人才，为粤港二地及国家在显示产业升级换代奠定技术基础。